STP80N1K1K6

STMicroelectronics
511-STP80N1K1K6
STP80N1K1K6

Fab. :

Description :
MOSFET N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET

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0,612 € 1.224,00 €
0,598 € 2.990,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
STMicroelectronics
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
Tube
Marque: STMicroelectronics
Type de produit: MOSFETs
Nombre de pièces de l'usine: 1000
Sous-catégorie: Transistors
Poids de l''unité: 2 g
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Attributs sélectionnés: 0

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TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

MOSFET de puissance à canal N STP80N1K1K6

Le MOSFET de puissance à canal N STP80N1K1K6 STMicroelectronics utilise la technologie MDmesh K6, tirant parti de 20 années d'expérience en matière de technologie de super jonction. Le MOSFET STP80N1K1K6 STMicroelectronics offre une résistance de premier ordre par surface et par charge de grille. Le composant est idéal pour les applications efficaces et de densité haute puissance.

MOSFET de puissance MDmesh K6 à canal N

Les MOSFET de puissance à canal N MDmesh K6 de STMicroelectronics sont protégés par Zener et 100 % testés en avalanche. Ces MOSFET de puissance se caractérisent par une tension de rupture drain-source de 800 V minimum, une tension grille-source de ±30 V et une plage de température de fonctionnement de jonction de -55 °C à 150 °C. Les MOSFET de puissance MDmesh K6 se caractérisent également par une pente de tension de récupération de diode de 5 V/ns crête, une pente de courant de récupération de diode de 100 µA/s crête et une robustesse dv/dt de MOSFET de 120 V/ns. Les applications typiques incluent les ordinateurs portables et tout-en-un (AIO), les convertisseurs Flyback, les adaptateurs pour tablettes et les éclairages LED.