STD80N450K6

STMicroelectronics
511-STD80N450K6
STD80N450K6

Fab. :

Description :
MOSFET N-channel 800 V, 380 mOhm typ., 10 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package
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Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
STMicroelectronics
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
800 V
10 A
450 mOhms
- 30 V, 30 V
3 V
17.3 nC
- 55 C
+ 150 C
83 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marque: STMicroelectronics
Configuration: Single
Temps de descente: 12.7 ns
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 4 ns
Nombre de pièces de l'usine: 2500
Sous-catégorie: Transistors
Délai de désactivation type: 28.8 ns
Délai d'activation standard: 10.6 ns
Poids de l''unité: 330 mg
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Attributs sélectionnés: 0

Fiche technique

PCN

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Codes de conformité
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Chine
Pays d'origine de l'assemblage:
Non disponible
Pays de diffusion:
Non disponible
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

MOSFET de puissance MDmesh K6 à canal N

Les MOSFET de puissance à canal N MDmesh K6 de STMicroelectronics sont protégés par Zener et 100 % testés en avalanche. Ces MOSFET de puissance se caractérisent par une tension de rupture drain-source de 800 V minimum, une tension grille-source de ±30 V et une plage de température de fonctionnement de jonction de -55 °C à 150 °C. Les MOSFET de puissance MDmesh K6 se caractérisent également par une pente de tension de récupération de diode de 5 V/ns crête, une pente de courant de récupération de diode de 100 µA/s crête et une robustesse dv/dt de MOSFET de 120 V/ns. Les applications typiques incluent les ordinateurs portables et tout-en-un (AIO), les convertisseurs Flyback, les adaptateurs pour tablettes et les éclairages LED.

MOSFET de puissance MDmesh K6 800 V 10 A STD80N450K6

Le MOSFET de puissance MDmesh K6 800 V 10 A STD80N450K6 de STMicroelectronics est un MOSFET de puissance haute tension à canal N doté d’une protection Zener et testé 100 % en mode avalanche. Ce MOSFET présente également une charge de grille très basse, une tension grille-source de ±30 V, une dissipation totale d’énergie de 83 W, une zone x RDS(ON) mondial et un facteur de mérite (FOM). Le MOSFET fonctionne dans une plage de température de jonction de -55 °C à 150 °C et est disponible dans un boîtier DPAK (TO-252) de type A2. Les applications typiques comprennent les convertisseurs Flyback, l'éclairage LED et les adaptateurs pour tablettes et notebooks.

En stock: 800

Stock:
800 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
24 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:
Conditionnement:
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ †
3,80 € 3,80 €
2,50 € 25,00 €
1,76 € 176,00 €
1,50 € 750,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
1,26 € 3.150,00 €
† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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