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STP80N600K6

Name: STMicroelectronics STP80N600K6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP80N600K6
Price: 2.72 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-STP80N600K6

N° de fab. :

STP80N600K6

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET N-channel 800 V, 515 mOhm typ., 7 A MDmesh K6 Power MOSFET

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Fiche technique:

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	1,38 €	13,80 €
	1,27 €	127,00 €
	1,07 €	535,00 €
	0,86 €	860,00 €
	0,855 €	4.275,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	800 V
Id - Courant continu de fuite:	7 A
Rds On - Résistance drain-source:	600 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	10.7 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	86 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Temps de descente:	12.6 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	4.1 ns
Nombre de pièces de l'usine:	50
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	28.2 ns
Délai d'activation standard:	9 ns
Poids de l''unité:	2 g

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance MDmesh K6 STP80N600K6

Le MOSFET de puissance STP80N600K6 MDmesh K6 de STMicroelectronics offre une solution d'alimentation à canal N et très haute tension utilisant la technologie MDmesh K6 ultime. Cette technologie K6 est basée sur 20 ans d'expérience de STMicroelectronics dans la technologie de super jonction. Le résultat de cette technologie permet au STP80N600K6 de STMicro d'offrir la meilleure résistance à l'état passant par rapport à la surface et à la charge de grille de sa catégorie pour les applications exigeant une densité de puissance supérieure et un rendement élevé.

MOSFET de puissance MDmesh K6 à canal N

Les MOSFET de puissance à canal N MDmesh K6 de STMicroelectronics sont protégés par Zener et 100 % testés en avalanche. Ces MOSFET de puissance se caractérisent par une tension de rupture drain-source de 800 V minimum, une tension grille-source de ±30 V et une plage de température de fonctionnement de jonction de -55 °C à 150 °C. Les MOSFET de puissance MDmesh K6 se caractérisent également par une pente de tension de récupération de diode de 5 V/ns crête, une pente de courant de récupération de diode de 100 µA/s crête et une robustesse dv/dt de MOSFET de 120 V/ns. Les applications typiques incluent les ordinateurs portables et tout-en-un (AIO), les convertisseurs Flyback, les adaptateurs pour tablettes et les éclairages LED.