Nouveauté MOSFET

Les MOSFET de puissance X4-Class d'IXYS offrent une faible résistance à l'état passant et de faibles pertes de conduction, avec une efficacité améliorée. Ces MOSFET de puissance sont disponibles dans un boîtier PLUS, permettant un courant nominal plus élevé et une densité de puissance accrue. Les MOSFET de puissance X4-Class sont compatibles broche à broche avec le boîtier standard TO-247 et sont faciles à mettre à niveau à partir des conceptions existantes pour une puissance de sortie plus élevée. Ces MOSFET de puissance présentent une faible charge de grille et une faible résistance thermique. Les applications typiques comprennent les commutateurs de charge CC, la protection des batteries, les joints toriques de batterie, les systèmes de stockage d'énergie par batterie et les convertisseurs Buck-Boost CC/CC.
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IXYS MOSFET de puissance X4-ClassIls offrent une faible résistance à l'état passant et des pertes de conduction, avec une efficacité améliorée.02.02.2026 -
onsemi MOSFET de puissance à canal N 80 V NVBYST0D6N08XCe dispositif offre un faible QRR et une diode de corps à récupération progressive dans un boîtier TCPAK1012 (TopCool).26.12.2025 -
Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 80 VDéfinit les performances de référence du secteur grâce à une large offre de portefeuille.23.12.2025 -
onsemi MOSFET N voies double NVMFD5877NLConçu pour des conceptions compactes et efficaces, incluant des performances thermiques élevées.19.12.2025 -
onsemi MOSFET à petit signal FDC642P-F085Doté d’une technologie à tranchées haute performance pour une RDS(on) extrêmement faible et d’une vitesse de commutation rapide.25.11.2025 -
onsemi MOSFET à canal P basse/moyenne tension NTTFS007P02P8Conçu avec la technologie PowerTrench pour des performances de commutation avec une RDS(on) extrêmement faible et une grande robustesse.25.11.2025 -
iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETsDesigned for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.24.11.2025 -
onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVD5867NLIl présente une tension drain-source de 60 V et une résistance drain-source de 39 mΩ et est homologué AEC-Q101.20.11.2025 -
onsemi MOSFET à canal N unique NVD6824NLAffichent une RDS(on) faible pour minimiser les pertes de conduction et supportent des courants élevés.20.11.2025 -
onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVMFS5830NLMOSFET de puissance à canal N unique haute efficacité conçu pour des applications exigeantes de gestion de l'alimentation.19.11.2025 -
onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVMFS5832NLMOSFET à hautes performances conçu pour les applications à basse tension nécessitant une commutation d’énergie efficace.19.11.2025 -
Diodes Incorporated Transistors à effet de champ 2N7002 de type N en mode EOffre des performances de commutation rapides avec une faible charge de grille et une tension drain-source maximale de 60 V.31.10.2025 -
Diodes Incorporated MOSFET E-Mode à double canal N DMTH64M2LPDWIntègre deux MOSFET dans un boîtier unique PowerDI ® de 5 mm x 6 mm avec d'excellentes performances thermiques.31.10.2025 -
Diodes Incorporated MOSFET à mode d'amélioration à canal N DMN1057UCA3Offre des performances de commutation supérieures, ce qui est idéal pour les applications de gestion de l'énergie à haut rendement.21.10.2025 -
Toshiba MOSFET à canal N TPH2R70AR5Idéal pour les convertisseurs CC-CC à haute efficacité, il est disponible dans un boîtier SOP Advance (N).17.10.2025 -
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance automobile RD3xMOSFET AEC-Q101 avec tension directe faible, temps de récupération rapide et capacité de surtension élevée.16.10.2025 -
onsemi MOSFET de puissance monocanal P NTK3139PIl est livré dans un boîtier avec une empreinte réduite de 44 % et est 38 % plus fin qu'un boîtier SC-89.14.10.2025 -
onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVNJWS200N031LLe dispositif présente une faible résistance RDS(on) et un faible seuil de tension de grille, et est disponible avec un flanc mouillable.14.10.2025 -
IXYS MOSFET de puissance 200 V de classe X4 MMIX1T500N20X4Le boîtier isolé à base de céramique améliore la Rth(j-s) globale ainsi que la capacité de traitement de puissance.08.10.2025 -
onsemi MOSFET basse/moyenne tension T10MOSFET monocanal N unique en 40 V et 80 V avec des performances rehaussées et une efficacité système améliorée.06.10.2025 -
Infineon Technologies MOSFET de puissance 40 V optimisés OptiMOS™ 7Offrent des solutions sur mesure pour une conversion d'énergie efficace dans les moteurs, les outils électriques et les outils de jardinage.02.10.2025 -
Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 canal NTransistors à canal N haute performance conçus pour les applications de conversion d'énergie exigeantes.30.09.2025 -
Nexperia MOSFET canal N BUK7Q dans boîtier MLPAK33-WFUtilise la technologie Trench 9, répond aux exigences AEC-Q101.29.09.2025 -
Nexperia MOSFET à tranchée et canal N BUK9QCompatible aux niveaux logiques, commutation rapide et entièrement homologuée pour l'automobile selon la norme AEC-Q101 à 175 °C.09.09.2025 -
onsemi MOSFET de puissance monocanal N NTK3134NMOSFET de puissance monocanal N de 20 V, 890 mA robustes optimisés pour des applications de commutation à haut rendement.08.09.2025 -
