onsemi Combo-FET
Les Combo-FET d'Onsemi sont des dispositifs révolutionnaires qui combinent un JFET SiC à faible RDS(on) d'Onsemi avec un MOSFET Si dans un boîtier compact et unique. Spécialement conçus pour des applications de protection à basse fréquence, telles que les disjoncteurs à semi-conducteurs, les disjoncteurs de batterie et la protection contre les surtensions, ces Combo-FET permettent aux utilisateurs d'accéder à la grille du JFET pour optimiser la conception. L'intégration du MOSFET Si dans ces Combo-FET d'Onsemi garantit une solution normalement éteinte, ce qui permet de réduire la taille de plus de 25 % par rapport aux implémentations discrètes.
Caractéristiques
- Faible RDSON
- Courant de crête (IDM)
- Faible RθJC
- Contrôlabilité de la vitesse
- Conception simple
- Pertes faibles
- Haute capacité de passage du courant
- Faible TJ et meilleure durée de vie
- Idéal pour la protection des circuits et les applications parallèles multiples
- Une longue durée de vie sans modification des paramètres
Applications
- Disjoncteurs à semi-conducteurs
- Déconnexions de batterie
- Protection contre les surtensions
Produits associés
onsemi Combo-FET UG3SC 1 200 V, 7,6 mΩ
Il combine un JFET SiC de 1 200 V et un MOSFET Si basse tension dans un boîtier TO-247-4L.
onsemi Combo-FET UG4SC 750 V 8,4 mΩ
Il combine un JFET SiC de 750 V et un MOSFET Si basse tension dans un boîtier TO-247-4L unique.
Publié le: 2024-11-12
| Mis à jour le: 2025-10-21