onsemi Combo-FET UG4SC 750 V 8,4 mΩ
Les Combo FET UG4SC 750 V 8,4 mΩ d’onsemi combinent un JFET SiC de 750 V et un MOSFET Si basse tension dans un boîtier TO-247-4L. Cette conception permet d’obtenir un commutateur normalement éteint tout en bénéficiant de la résistance en conduction ultra-faible [RDS(on)] et de la robustesse d’un JFET SiC normalement activé. La série Combo FET UG4SC d’onsemi est idéale pour la commutation à haute énergie dans la protection de circuit. Pour la conversion d’énergie en mode commutation, les dispositifs offrent un accès séparé à la grille du JFET et du MOSFET, améliorant ainsi le contrôle de la vitesse et simplifiant le couplage en parallèle de plusieurs dispositifs.
Caractéristiques
- RDS(on) à un chiffre
- Capacité d’arrêt normale
- Contrôle de vitesse amélioré
- Dispositif d’exploitation parallèle amélioré (3+ FET)
- Température de fonctionnement maximale : +175 °C
- Capacité de courant à impulsion élevée
- Excellente robustesse du dispositif
- Matrice frittée argentée attachée pour une excellente résistance thermique
- Classé court-circuit
Applications
- Disjoncteurs à semiconducteurs
- Relais à semiconducteurs
- Déconnexions de batterie
- Protection contre les surtensions
- Contrôle du courant d'appel
- Convertisseurs en mode commutation haute puissance (> 25 kW)
Schéma de circuit
Publié le: 2024-09-30
| Mis à jour le: 2025-07-25