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UG3SC120009K4S

Name: onsemi UG3SC120009K4S
Brand: onsemi
SKU: 431-UG3SC120009K4S
Price: 55.4 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

431-UG3SC120009K4S

N° de fab. :

UG3SC120009K4S

Fab. :

onsemi

Description :

JFET 1200V/9MOSICFETDGG3TO247-4

Fiche technique:

UG3SC120009K4S Fiche technique

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	JFET
RoHS:
Technologie:	SiC
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Configuration:	Single
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Vgs - Tension de rupture grille-source:	- 25 V to 25 V
Courant drain/source à Vgs=0:	6 uA
Id - Courant continu de fuite:	120 A
Rds On - Résistance drain-source:	7.6 mOhms
Pd - Dissipation d’énergie :	789 W
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Série:	UG3S
Conditionnement:	Tube
Marque:	onsemi
Type de produit:	JFETs
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors

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Fiche technique

UG3SC120009K4S Fiche technique

PCN

Product Change Notification 2025-4-11 (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Combo-FET UG3SC 1 200 V, 7,6 mΩ

Le Combo-FET 1 200 V, 7,6 mΩ UG3SC d'onsemi combine un JFET SiC 1 200 V et un MOSFET Si basse tension dans un seul boîtier TO-247-4L. Cette structure permet d'obtenir un commutateur normalement éteint tout en tirant parti des avantages d'un JFET SiC normalement allumé. Le Combo-FET UG3SC d'onsemi offre une résistance de conduction (R_DS(on)) ultra-faible pour des pertes de conduction réduites et la robustesse nécessaire pour une commutation à haute énergie dans les applications de protection de circuit.

Combo-FET

Les Combo-FET d'Onsemi sont des dispositifs révolutionnaires qui combinent un JFET SiC à faible R_DS(on) d'Onsemi avec un MOSFET Si dans un boîtier compact et unique. Spécialement conçus pour des applications de protection à basse fréquence, telles que les disjoncteurs à semi-conducteurs, les disjoncteurs de batterie et la protection contre les surtensions, ces Combo-FET permettent aux utilisateurs d'accéder à la grille du JFET pour optimiser la conception. L'intégration du MOSFET Si dans ces Combo-FET d'Onsemi garantit une solution normalement éteinte, ce qui permet de réduire la taille de plus de 25 % par rapport aux implémentations discrètes.