Combo-FET UG4SC 750 V 8,4 mΩ

Les Combo FET UG4SC 750 V 8,4 mΩ d’onsemi combinent un JFET SiC de 750 V et un MOSFET Si basse tension dans un boîtier TO-247-4L. Cette conception permet d’obtenir un commutateur normalement éteint tout en bénéficiant de la résistance en conduction ultra-faible [RDS(on)] et de la robustesse d’un JFET SiC normalement activé. La série Combo FET UG4SC d’onsemi est idéale pour la commutation à haute énergie dans la protection de circuit. Pour la conversion d’énergie en mode commutation, les dispositifs offrent un accès séparé à la grille du JFET et du MOSFET, améliorant ainsi le contrôle de la vitesse et simplifiant le couplage en parallèle de plusieurs dispositifs.

Résultats: 4
Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Configuration Vds - Tension de rupture drain-source Vgs - Tension de rupture grille-source Courant drain/source à Vgs=0 Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Pd - Dissipation d’énergie Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Série Conditionnement
onsemi JFET UG4SC075005L8S 1.793En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.000

SiC SMD/SMT MO-229-8 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 6 uA 120 A 5 mOhms 1.153 kW - 55 C + 175 C UG4S Reel, Cut Tape
onsemi JFET 750V/9MOCOMBO-FETG4TO247-4 577En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 4 uA 106 A 8.4 mOhms 375 W - 55 C + 175 C UG4S Tube
onsemi JFET 750V/6MOCOMBO-FETG4TO247-4 345En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 6 uA 120 A 5.3 mOhms 714 W - 55 C + 175 C UG4S Tube
onsemi JFET 750V/11MOCOMBO-FETG4TO247-4 558En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 3.5 uA 104 A 10 mOhms 357 W - 55 C + 175 C UG4S Tube