onsemi Technologie PowerTrench
onsemi PowerTrench Technology represents the advancement of PowerTrench technology, especially from T6 to T10, which signifies a breakthrough in power electronics. Developed by onsemi, PowerTrench MOSFETs offer enhanced efficiency and performance across various applications. The shift from T6/T8 to T10 significantly improves on-resistance and switching performance, which is crucial for energy-efficient designs.
Schéma fonctionnel
Caractéristiques
- La réduction des pertes de commutation à des fréquences plus élevées minimise les pertes d'énergie sous forme de chaleur pendant les commutation haute fréquence
- Une meilleure dissipation de la chaleur réduit la production de chaleur à des niveaux de puissance donnés.
- Réduction des pertes par conduction grâce à une RDS(on) plus faible, abaissant la résistance à l’état passant et la perte de puissance par conduction.
- Des boîtiers plus petits et à densité de puissance plus élevée pour répondre à la tendance vers des conceptions électroniques plus compactes
- Les MOSFET T10 de 40 à 80 V à qualification AEC répondent à des normes automobiles strictes.
- La réduction de résistance spécifique Rsp de 30 à 40 % par rapport à la génération précédente augmente la densité de puissance en réduisant Rsp.
- La réduction de facteur 2 de Qg, de Qsw et de Qoss réduit les pertes de commutation en améliorant ainsi l’efficacité.
- La diode à récupération plus douce et un Qrr plus bas réduisent les oscillations, les dépassements et le rapport EMI/bruit.
- Une capacité de commutation UIS 10 % plus élevée permet un courant plus élevé dans les conditions spécifiées.
Produits présentés
Ressources supplémentaires
Vidéos
Infographic
Produits associés
onsemi MOSFET NTBLS0D8N08X monocanal N 80 V
Il possède une faible Qrr (récupération inverse) et une diode de corps à récupération plus douce pour garantir une gestion efficace de l’énergie.
onsemi MOSFET de puissance 40 V
Intègre une technologie standard au niveau de la grille et offre la meilleure résistance de sa catégorie à l’état passant.
onsemi MOSFET de puissance monocanal N NTMFS0D7N04XM
MOSFET de puissance à seuil de grille de 40 V standard avec résistance à l'état passant à la pointe de l'industrie pour les applications de commande moteur.
onsemi MOSFET à canal N NTMFS3D2N10MD
MOSFET 100 V, conçu à l'aide d'un procédé PowerTrench® avancé avec la technologie de grille blindée.
onsemi MOSFET de puissance à canal unique N
Des MOSFET compacts et de faible encombrement avec un faible RDS(on) et une faible capacité.
onsemi MOSFET PowerTrench® à grille blindée
Compact, il réduit au minimum les pertes en conduction, les pertes de puces, le bruit de commutation et les EMI.
onsemi MOSFET monocanal N NTMFWS1D5N08X
Intègre un faible QRR et une diode de corps à récupération progressive, réduisant ainsi les pertes de commutation.
onsemi MOSFET à canal N NTTFS012N10MD
MOSFET 100 V, est conçu à l'aide d'un processus avancé PowerTrench® qui intègre la technologie de grille blindée.
Solution associée
onsemi Cloud Power Management Solutions
Offers computing and connectivity essential for infrastructure.