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NTTFS012N10MDTAG

Name: onsemi NTTFS012N10MDTAG
Brand: onsemi
SKU: 863-NTTFS012N10MDTAG
Price: 1.86 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-NTTFS012N10MDTAG

N° de fab. :

NTTFS012N10MDTAG

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET PTNG 100V LOW Q 12MOHM N-FET U8FL

Fiche technique:

NTTFS012N10MDTAG Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	1,86 €	1,86 €
	1,23 €	12,30 €
	0,832 €	83,20 €
	0,663 €	331,50 €
	0,63 €	630,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1500)
	0,571 €	856,50 €
	0,542 €	1.626,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Package/Boîte:	WDFN-8
Nom commercial:	PowerTrench
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	onsemi
Type de produit:	MOSFETs
Série:	NTTFS012N10MD
Nombre de pièces de l'usine:	1500
Sous-catégorie:	Transistors

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Fiche technique

NTTFS012N10MDTAG Fiche technique

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Technologie PowerTrench

onsemi PowerTrench Technology represents the advancement of PowerTrench technology, especially from T6 to T10, which signifies a breakthrough in power electronics. Developed by onsemi, PowerTrench MOSFETs offer enhanced efficiency and performance across various applications. The shift from T6/T8 to T10 significantly improves on-resistance and switching performance, which is crucial for energy-efficient designs.

MOSFET à canal N NTTFS012N10MD

Le MOSFET à canal N NTTFS012N10MD onsemi est conçu à l'aide d'un processus avancé PowerTrench^® qui intègre la technologie de grille blindée. Ce processus a été optimisé pour minimiser la résistance à l'état passant R_DS(on) afin de réduire les pertes par conduction tout en maintenant des performances de commutation supérieures. Le MOSFET NTTFS012N10MD dispose d'une Q_G et d'une capacité faibles pour minimiser les pertes de pilote, d'un Q_RR faible, d'une diode de corps à récupération progressive et d'un Q_OSS faible pour améliorer l'efficacité à faible charge. Les applications typiques comprennent les commutateurs primaires dans les convertisseurs CC-CC isolés, les adaptateurs CA-CC, le redressement synchrone en CC-CC et CA-CC, les moteurs BLDC, les commutateurs de charge et les onduleurs solaires.