MOSFET PowerTrench® à grille blindée

Les MOSFET PowerTrench® à grille blindée d'Onsemi sont des MOSFET à canal N qui minimisent la résistance à l'état passant et maintiennent des performances de commutation supérieures avec la meilleure diode de corps à recouvrement progressif du marché. Ces MOSFET ont un facteur Qrr inférieur à celui d'autres MOSFET. Les MOSFET PowerTrench® à grille blindée d'Onsemi réduisent le bruit de commutation/lebrouillage électromagnétique (EMI). Ces MOSFET se caractérisent par une faible RDS(on) pour limiter les pertes en conduction et pour de faibles QG etcapacité, permettant de limiter les pertes de pilotes. Les MOSFET PowerTrench à grille blindée se présentent sous la forme d'un petit boîtier PQFN8 de 5 mm x 6 mm pour des conceptions compactes. Les applications typiques comprennent le redressement synchrone (SR), les alimentations électriques CA-CC et CC-CC, les adaptateurs AC-DC (USB Power Delivery) SR, et les commutateurs de charge.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nom commercial
Conditionnement
onsemi MOSFET MOSFET - N-Channel Shielded Gate PowerTrench 150 V, 7.3 mohm, 101 A
Fiche technique
3.092En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 150 V 101 A 7.3 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 53 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 150V, 95.6A, 7.9mohm
Fiche technique
2.858En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 150 V 95.6 A 7.9 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 46 nC - 55 C + 175 C 166.7 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape
onsemi NTMFS7D8N10GTWG
onsemi MOSFET N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 100V, 110A, 7.6mohm
Fiche technique
8.526En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 80 V 110 A 7.6 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 92 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET MOSFET - N-Channel Shielded Gate PowerTrench 150 V, 5.0 mohm, 139 A
Fiche technique
1.518En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 800

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 150 V 139 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi MOSFET Power MOSFET, 150V Single N channel 61A, 14m Ohm in Power56 package
Fiche technique
3.210En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 150 V 61 A 14 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 27 nC - 55 C + 150 C 108.7 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi MOSFET Power MOSFET, 150V Single N channel 31A, 31m Ohm in Power56 package
Fiche technique
5.249En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 150 V 31 A 31 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 12 nC - 55 C + 150 C 62.5 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET MOSFET - N-Channel Shielded Gate PowerTrench 150 V, 10.9 mohm, 75.4 A
Fiche technique
428En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 150 V 75.4 A 10.9 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 37 nC + 175 C 3.75 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 100V, 113A, 4.2mohm
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 27 Semaines
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 100 V 113 A 4.3 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 25 nC - 55 C + 150 C 132 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel