onsemi MOSFET à canal N NTMFS3D2N10MD

Le MOSFET à canal N NTTFS012N10MD d'onsemi est conçu à l'aide d'un procédé avancé PowerTrench^® qui intègre la technologie Shielded Gate. Ce processus a été optimisé pour minimiser la résistance à l'état passant R_DS(on) afin de réduire les pertes par conduction tout en maintenant des performances de commutation supérieures. Le MOSFET NTMFS3D2N10MD dispose d'une Q_G et d'une capacité faibles pour minimiser les pertes de pilote, d'un Q_RR faible, d'une diode de corps à récupération progressive et d'un Q_OSS faible pour améliorer l'efficacité à faible charge. Les applications typiques comprennent les commutateurs primaires dans les convertisseurs CC-CC isolés, les adaptateurs CA-CC, le redressement synchrone en CC-CC et CA-CC, les moteurs BLDC, les commutateurs de charge et les convertisseurs solaires.