IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs
IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.
Features
- IXYS advanced low gate charge process
- International standard packages
- Low gate charge and capacitance
- Low RDS(on)
- Unclamped Inductive Switching (UIS) rated
- Molding epoxies meet UL94V-0 flammability classification
Associated Products
IXYS MOSFET de puissance HiPerFET™ de classe X3
MOSFET à canal N, mode d'amélioration, évalués par avalanche.
IXYS Dispositifs de puissance HiPerFET et MOSFET
Disponible en boîtier SMPD, ce qui est beaucoup plus léger que les modules de puissance conventionnels comparables.
IXYS MOSFET de puissance HiPerFET™ à canal N standard
Pour les applications à commutation dure et à mode résonnant avec une faible charge de grille et une excellente robustesse.
IXYS MOSFET de puissance HiPerFET™ de classe Q
Pour les applications de commutation dure et à résonance avec une faible charge de grille et une excellente robustesse.
IXYS MOSFET de puissance HiPerFET™ de classe Q3
Une large gamme de dispositifs qui offrent des performances de commutation de puissance exceptionnelles.
IXYS Gen2 Trench Gate Power MOSFETs
Offered with drain-to-source voltage ratings from 40V to 170V and high current of up to 600A.
IXYS 60V TrenchT3 HiPerFET Power MOSFETs
Ultra low on-resistance, rugged devices designed for industrial power conversion applications.
IXYS 40V TrenchT4 Power MOSFETs
Easy-to-mount N-Channel enhancement MOSFETs housed in international standard packages.
IXYS X-Class Power MOSFETs
Easy-to-mount high-power density N-Channel Enhancement Mode MOSFETs with a low RDS(ON) and QG.
IXYS MOSFET de puissance X2-Class avec HiPerFET™
Pour les applications de commutation de puissance à haut rendement et à grande vitesse avec une faible charge de grille.
IXYS X3-Class Power MOSFETs with HiPerFET™
Avalanche-rated fast intrinsic diodes with N-channel enhancement mode.
IXYS X4-Class 135V-200V Power MOSFETs
Power MOSFETs that come with significantly reduced resistance RDS(on) and gate charge Qg.
IXYS MOSFET de puissance à ultra-jonction IXT 200 V X4
Composants à canal N avec un RDS(on) de 10,6 mΩ, 13 mΩ ou 21 mΩ et une tension drain-source maximale de 200 V.