MOSFET de puissance HiPerFET™ de classe X3

Les MOSFET de puissance HiPerFET™ IXYS de classe X3 sont des MOSFET à canal N, à mode d'amélioration et classés avalanche. La classe X3 fournit une densité de puissance élevée et est facile à monter, le tout dans un boîtier peu encombrant. Les MOSFET de classe X3 d'IXYS sont idéaux pour les alimentations en mode commutation et en mode résonant.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Conditionnement
IXYS MOSFET TO263 650V 34A N-CH X3CLASS
Fiche technique
659En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 100 mOhms - 20 V, 20 V 5.2 V 29 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET TO220 650V 34A N-CH X3CLASS
Fiche technique
684En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 100 mOhms - 20 V, 20 V 5.2 V 29 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET TO247 650V 34A N-CH X3CLASS
Fiche technique
144En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 100 mOhms - 20 V, 20 V 5.2 V 29 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET TO247 650V 54A N-CH X3CLASS
Fiche technique
615En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 54 A 59 mOhms - 20 V, 20 V 5.2 V 49 nC - 55 C + 150 C 625 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET TO247 650V 46A N-CH X3CLASS
Fiche technique
290En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 73 mOhms - 20 V, 20 V 5.2 V 40 nC - 55 C + 150 C 520 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET Discrete MOSFET 70A 650V X3 TO247
Fiche technique
953En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 70 A 44 mOhms - 20 V, 20 V 5.2 V 66 nC - 55 C + 150 C 780 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET Discrete MOSFET 90A 650V X3 TO247
Fiche technique
432En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 90 A 33 mOhms - 20 V, 20 V 5.2 V 95 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement Tube