MOSFET de puissance HiPerFET™ de classe Q3

Les MOSFET de puissance HiPerFET™ de classe Q3 d'IXYS offrent à l'utilisateur final une large gamme de dispositifs offrant des performances de commutation de puissance exceptionnelles. Ils offrent également d'excellentes caractéristiques thermiques, une robustesse améliorée du dispositif et une haute efficacité énergétique. Ces MOSFET sont fournis avec une tension drain-source nominale de 200 V à 1 000 V et un courant de drain nominal de 10 A à 100 A. Ces caractéristiques font de la classe Q3 une combinaison optimisée de faibles résistance à l'état passant (R_dson) et charge de grille (Q_g), ce qui réduit considérablement à la fois la perte de conduction et de commutation du composant. Ses capacités de commutation de puissance et la robustesse du dispositif sont davantage renforcées par l'utilisation du processus HiperFET. Ce processus produit un composant avec un redresseur intrinsèque rapide qui fournit une faible charge de récupération inverse (Q_rr) tout en améliorant les valeurs nominales dv/dt de commutation (jusqu'à 50 V/ns) du composant.