MOSFET de puissance HiPerFET™ de classe Q

Les MOSFET de puissance HiPerFET™ de classe Q sont conçus pour les applications à commutation dure et à mode résonnant. Ils offrent une faible charge de grille, une excellente robustesse et une diode intrinsèque rapide. Les MOSFET de puissance HiPerFET™ de classe Q sont disponibles dans de nombreux boîtiers industriels standard, y compris de types isolés.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nom commercial
Conditionnement

IXYS MOSFET 300V 52A
Fiche technique
11En stock
30002/12/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 52 A 60 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 150 nC - 55 C + 150 C 360 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 3.5 Amps 1000V 3 Rds
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 19 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 3.5 A 3 Ohms - 20 V, 20 V - 40 C + 150 C 80 W Enhancement HiPerFET Tube