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ST8L65N050DM9

Name: STMicroelectronics ST8L65N050DM9
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-ST8L65N050DM9
Price: 6.66 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-ST8L65N050DM9

N° de fab. :

ST8L65N050DM9

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 55 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package

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ST8L65N050DM9 Fiche technique (PDF)

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PowerFLAT-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	55 A
Rds On - Résistance drain-source:	35 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.5 V
Qg - Charge de grille:	107 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	167 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Temps de descente:	3.5 ns
Transconductance directe - min.:	167 W
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	7 ns
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	80 ns
Délai d'activation standard:	25 ns

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