IGBTs

IGBTs
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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Package/Boîte
Style de montage
Configuration
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.
Tension de saturation collecteur-émetteur
Tension de l'émetteur de porte max.
Courant collecteur continu de 25 C
Pd - Dissipation d’énergie
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Série
Qualification
Conditionnement
Infineon Technologies IGBTs Short circuit rugged 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
Fiche technique
387En stock
1.00014/05/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 1.000

SiC PG-TO263-7 SMD/SMT Single 1.2 kV 2 V 20 V 33 A 176 W - 40 C + 175 C Reel, Cut Tape
onsemi IGBTs 650V/30A FS4 SCR IGBT D2PAK AUTOMOTIVE
Fiche technique
632En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 800

Si D2PAK-3 SMD/SMT Single 650 V 1.58 V 20 V, 30 V 68 A 235.48 W - 55 C + 175 C AFGB30T65RQDN Reel, Cut Tape
Bourns IGBTs IGBT Discrete 600V, 5A in TO-252
Fiche technique
24.173En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 2.500

Si TO-252-3 SMD/SMT Single 600 V 1.5 V - 30 V, 30 V 10 A 82 W - 55 C + 150 C BID Reel, Cut Tape, MouseReel
IXYS IGBTs 650V, 55A, XPT Gen5 B5 IGBT in TO-263
Fiche technique
80En stock
30029/09/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-263-2L SMD/SMT Single 650 V 1.3 V 20 V 122 A 395 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS IGBTs 650V, 50A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-263
Fiche technique
75En stock
30009/11/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-263AB-2 SMD/SMT Single 650 V 1.67 V 20 V 110 A 650 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS IGBTs 650V, 100A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-247AD
Fiche technique
74En stock
30009/11/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.68 V 20 V 230 A 750 W - 55 C + 175 C Trench Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package
Fiche technique
425En stock
Min. : 1
Mult. : 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 100 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package
Fiche technique
650En stock
Min. : 1
Mult. : 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 1200 V, 50 A, low-loss M series IGBT
Fiche technique
1.142En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Max247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V - 20 V, 20 V 100 A 535 W - 55 C + 175 C M Tube
Bourns IGBTs IGBT Discrete 650V, 50A in TO-247
Fiche technique
2.206En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 100 A 416 W - 55 C + 150 C BID Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 75 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package
Fiche technique
426En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 154 A 630 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
Fiche technique
7.871En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 76 A 230.8 W - 40 C + 175 C IGBT7 T7 Tube
IXYS IGBTs XPT 600V IGBT 300A
Fiche technique
686En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-PLUS-3 Through Hole Single 600 V 1.6 V - 20 V, 20 V 550 A 2.3 kW - 55 C + 175 C IXXX300N60 Tube
IXYS IGBTs TO247 1200V 85A XPT
Fiche technique
1.397En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.8 V - 20 V, 20 V 300 A 1.15 kW - 55 C + 175 C Trench Tube

IXYS IGBTs XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT PLUS247
Fiche technique
1.256En stock
15029/06/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V - 20 V, 20 V 340 A 1.36 kW - 55 C + 175 C 1200V XPTTM Gen 4 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 3pin package
Fiche technique
451En stock
Min. : 1
Mult. : 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
IXYS IGBTs TO268 3KV 42A IGBT
Fiche technique
2.747En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT Single 3 kV 3 V - 25 V, 25 V 104 A 500 W - 55 C + 150 C Tube
IXYS IGBTs 4000V 425ns IGBT
Fiche technique
1.904En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si ISOPLUS264-3 Through Hole Single 4 kV 3.2 V - 20 V, 20 V 90 A 380 W - 40 C + 125 C IXEL40N400 Tube
IXYS IGBTs Disc IGBT XPT Gen4 1200V 140A TO264
Fiche technique
2.915En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-264-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.7 V - 20 V, 20 V 480 A 1.5 kW - 55 C + 175 C Trench Tube
onsemi IGBTs 500mJ, 450V EcoSPARK N-Chan Ignition IGBT
Fiche technique
6.225En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 800

Si D2PAK-3 SMD/SMT Single 480 V 1.25 V - 10 V, 10 V 51 A 300 mW - 40 C + 175 C ISL9V5045S_F085 AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
IXYS IGBTs BIMOSFET 1700V 75A
Fiche technique
3.219En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT Single 1.7 kV 2.8 V - 20 V, 20 V 80 A 360 W - 55 C + 150 C IXBT42N170 Tube
IXYS IGBTs 32 Amps 1700 V 5 V Rds
Fiche technique
1.241En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT Single 1.7 kV 5 V - 20 V, 20 V 16 A 190 W - 55 C + 150 C IXGT16N170 Tube
IXYS IGBTs 2500V/95A , HV XPT IGBT
Fiche technique
766En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-PLUS-HV-3 Through Hole Single 2.5 kV 4 V - 20 V, 20 V 95 A 937 W - 55 C + 175 C High Voltage Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 100 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package
Fiche technique
1.122En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 188 A 824 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 120 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package
Fiche technique
636En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 216 A 1.004 kW - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube