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BIDW50N65T

Name: Bourns BIDW50N65T
Brand: Bourns
SKU: 652-BIDW50N65T
Price: 4.34 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

652-BIDW50N65T

N° de fab. :

BIDW50N65T

Fab. :

Bourns

Description :

IGBTs IGBT Discrete 650V, 50A in TO-247

Fiche technique:

BIDW50N65T Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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-,-- €

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	4,34 €	4,34 €
	2,48 €	24,80 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Bourns
Catégorie du produit:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Package/Boîte:	TO-247-3
Style de montage:	Through Hole
Configuration:	Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	650 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	1.65 V
Tension de l'émetteur de porte max.:	- 20 V, 20 V
Courant collecteur continu de 25 C:	100 A
Pd - Dissipation d’énergie :	416 W
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Série:	BID
Conditionnement:	Tube
Marque:	Bourns
Courant de collecteur continu Ic max.:	100 A
Courant de fuite gâchette-émetteur:	400 nA
Type de produit:	IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	600
Sous-catégorie:	IGBTs

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Fiche technique

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Solutions d'électrification

Les solutions d’électrification de Bourns disposent d’une gamme complète de transformateurs, de bobines d’arrêt, de diodes, de résistances, de fusibles, de transistors et varistances. Ces produits sont conçus pour les systèmes utilisés dans le processus d’électrification, c’est-à-dire la transition des sources d’énergie traditionnelles, telles que le pétrole et le gaz, vers des formes d’énergie plus propres et plus durables. L’électrification affecte la façon dont les voitures sont ravitaillées, les maisons chauffées et les industries alimentées, l’objectif final étant de réduire la pollution atmosphérique et les déchets d’énergie. Par exemple, une pompe à chaleur est jusqu’à 3 fois plus efficace qu’une chaudière pour réduire les factures de chauffage.

Transistors bipolaires à grille isolée modèle BID

Les transistors bipolaires (IGBT) à grille isolée de modèle BID de Bourns combinent la technologie d'une grille MOSFET et d'un transistor bipolaire et sont conçus pour les applications à courant élevé/tension élevée. Les IGBT de modèle BID utilisent une technologie avancée d'arrêt de champ à grille en tranchée pour fournir un meilleur contrôle des caractéristiques dynamiques, ce qui entraîne une tension de saturation collecteur-émetteur plus faible et moins de pertes de commutation. Les IGBT disposent d’une plage de température de fonctionnement de -55°C à +150°C et sont disponibles en boîtiers TO-252, TO-247 et TO-247N. Ces composants thermiquement efficaces fournissent une résistance thermique plus faible, ce qui en fait des solutions IGBT adaptées aux alimentations électrique à découpage (SMPS), aux sources d'alimentation électriques sans interruption (UPS) et aux applications de correction du facteur de puissance (PFC).