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BIDD05N60T

Name: Bourns BIDD05N60T
Brand: Bourns
SKU: 652-BIDD05N60T
Price: 1.81 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

652-BIDD05N60T

N° de fab. :

BIDD05N60T

Fab. :

Bourns

Description :

IGBTs IGBT Discrete 600V, 5A in TO-252

Fiche technique:

BIDD05N60T Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	1,81 €	1,81 €
	1,16 €	11,60 €
	0,558 €	55,80 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
	0,558 €	1.395,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Bourns
Catégorie du produit:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Package/Boîte:	TO-252-3
Style de montage:	SMD/SMT
Configuration:	Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	600 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	1.5 V
Tension de l'émetteur de porte max.:	- 30 V, 30 V
Courant collecteur continu de 25 C:	10 A
Pd - Dissipation d’énergie :	82 W
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Série:	BID
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Bourns
Courant de collecteur continu Ic max.:	10 A
Courant de fuite gâchette-émetteur:	400 nA
Sensibles à l’humidité:	Yes
Type de produit:	IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	IGBTs

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Fiche technique

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Transistors bipolaires à grille isolée modèle BID

Les transistors bipolaires (IGBT) à grille isolée de modèle BID de Bourns combinent la technologie d'une grille MOSFET et d'un transistor bipolaire et sont conçus pour les applications à courant élevé/tension élevée. Les IGBT de modèle BID utilisent une technologie avancée d'arrêt de champ à grille en tranchée pour fournir un meilleur contrôle des caractéristiques dynamiques, ce qui entraîne une tension de saturation collecteur-émetteur plus faible et moins de pertes de commutation. Les IGBT disposent d’une plage de température de fonctionnement de -55°C à +150°C et sont disponibles en boîtiers TO-252, TO-247 et TO-247N. Ces composants thermiquement efficaces fournissent une résistance thermique plus faible, ce qui en fait des solutions IGBT adaptées aux alimentations électrique à découpage (SMPS), aux sources d'alimentation électriques sans interruption (UPS) et aux applications de correction du facteur de puissance (PFC).