IXBT14N300HV

IXYS
576-IXBT14N300HV
IXBT14N300HV

Fab. :

Description :
IGBTs IGBT BIMSFT-VERY HIV OLT

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IXYS
Catégorie du produit: IGBTs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
Single
3 kV
2.7 V
- 20 V, 20 V
38 A
200 W
- 55 C
+ 150 C
Very High Voltage
Tube
Marque: IXYS
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: KR
Sensibles à l’humidité: Yes
Type de produit: IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine: 30
Sous-catégorie: IGBTs
Nom commercial: BIMOSFET
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TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

IGBT BiMOSFET™ à conduite inversée IXBx14N300HV

Les IGBT BiMOSFET™ à conduite inversée IXBx14N300HV d'IXYS combinent les forces des MOSFET et des IGBT. Ces composants à haute tension sont idéaux pour un fonctionnement en parallèle en raison du coefficient de température positif de sa tension de saturation et de la chute de tension directe de sa diode intrinsèque. Les diodes de corps intrinsèque « libres » des IGBT BiMOSFET IXBx14N300HV servent de diode de protection, fournissant un chemin alternatif pour le courant de charge inductive pendant l'arrêt du dispositif, empêchant les tensions transitoires Ldi/dt élevées d'endommager le dispositif.