IXYS IGBT haute tension IXGA20N250HV
L'IGBT (transistor bipolaire à grille isolée) haute tension IXGA20N250HV d'IXYS fournit une zone de fonctionnement sécurisée à polarisation inversée (RBSOA) carrée et une capacité de tenue aux courts-circuits de 10 µs. L'IXGA20N250HV dispose d'une tension collecteur-émetteur de 2500 V, d'un courant collecteur de 12 A à +110 °C et d'une tension de saturation collecteur-émetteur de 3,1 V. Le composant a un coefficient de température positif de VCE(sat), idéal pour la mise en parallèle.
L'IGBT IXGA20N250HV permet d'utiliser un seul composant dans les systèmes dont les circuits utilisaient auparavant plusieurs commutateurs à faible tension en cascade. Cette consolidation de dispositif réduit le nombre d'appareils électriques et améliore le coût et l'efficacité en éliminant les composants d'équilibrage de tension et de puissance complexes. Dans les systèmes dont les circuits utilisaient auparavant des SCR à haute tension, cet IGBT à haute tension fournit au concepteur un véritable commutateur pour mettre facilement en œuvre des schémas de modulation du signal. Cette capacité améliore l'efficacité, tout en simplifiant la mise en forme des ondes et en permettant une déconnexion de la charge pour une meilleure sécurité du système. Les émetteurs et relais de décharge à haute tension traditionnels peuvent également être remplacés, ce qui réduit la complexité du système et améliore la fiabilité globale.
L'IGBT haute tension IXGA20N250HV d'IXYS est proposé dans un boîtier TO-263HV aux normes de l'industrie et dispose d'une plage de température de jonction de -55 °C à +150 °C.
Caractéristiques
- Boîtier TO-263HV aux normes de l'industrie
- Boîtier haute tension
- Languette isolée électriquement
- Capacité d'intensité de crête élevée
- Faible tension de saturation
- Le moulage époxy est conforme à la classification d'inflammabilité UL 94 V-0
Applications
- Circuits de pulseur
- Circuits de décharge de condensateur
- Alimentation haute tension
- Équipements de test haute tension
- Générateurs laser et à rayons X
Caractéristiques techniques
- Tension collecteur-émetteur de 2500 V (VCES)
- Tension collecteur-grille de 2500 V (VCGR)
- Tension grille-émetteur de ±20 V (VGE)
- Tension transitoire grille-émetteur de ±30 V (VGEM)
- Dissipation de puissance collecteur de 150 W (PC)
- Courant collecteur de 30 A à +25 °C (IC25)
- Courant collecteur de 12 A à +110 °C (IC110)
- Tension de saturation collecteur-émetteur de 3,10 V (VCE(sat))
- Résistance thermique de jonction à boîtier de 0,83 °C/W (RthJC)
- Plage de température de jonction (Tj) de -55 °C à +150 °C
Désignations et schéma des broches
Profil de boîtier
