IXYS BIMOSFET IGBTs

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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Package/Boîte
Style de montage
Configuration
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.
Tension de saturation collecteur-émetteur
Tension de l'émetteur de porte max.
Courant collecteur continu de 25 C
Pd - Dissipation d’énergie
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Série
Conditionnement
IXYS IGBTs BIMOSFET 1700V 75A
Fiche technique
3.219En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT Single 1.7 kV 2.8 V - 20 V, 20 V 80 A 360 W - 55 C + 150 C IXBT42N170 Tube
IXYS IGBTs TO268 3KV 42A IGBT
Fiche technique
2.787En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT Single 3 kV 3 V - 25 V, 25 V 104 A 500 W - 55 C + 150 C Tube
IXYS IGBTs 1700V 25A
Fiche technique
630En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 1.7 kV 3.3 V - 20 V, 20 V 40 A 250 W - 55 C + 150 C IXBH16N170 Tube

IXYS IGBTs PLUS247 2500V 25A IGBT
Fiche technique
224En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 2.5 kV 3.3 V - 20 V, 20 V 55 A 300 W - 55 C + 150 C Very High Voltage Tube

IXYS IGBTs 10 Amps 1700V 2.3 Rds
Fiche technique
294En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.7 kV 3.8 V - 20 V, 20 V 20 A 140 W - 55 C + 150 C IXBH10N170 Tube
IXYS IGBTs BIMOSFETS 1700V 200A
Fiche technique
314En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-PLUS-3 Through Hole Single 1.7 kV 3.1 V - 20 V, 20 V 200 A 1.04 kW - 55 C + 150 C IXBX75N170 Tube

IXYS IGBTs Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt TO-247AD
Fiche technique
281En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 3 kV 3.2 V - 20 V, 20 V 50 A 250 W - 55 C + 150 C Very High Voltage Tube
IXYS IGBTs 12 Amps 1700V 3.6 Rds
Fiche technique
269En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT Single 1.7 kV 3.4 V - 20 V, 20 V 12 A 75 W - 55 C + 150 C IXBT6N170 Tube
IXYS IGBTs 1700V 16A
Fiche technique
239En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT Single 1.7 kV 6 V - 20 V, 20 V 16 A 190 W - 55 C + 150 C IXBT16N170 Tube
IXYS IGBTs 12 Amps 1700V 3.6 Rds
Fiche technique
180En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 1.7 kV 2.3 V - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C IXBH6N170 Tube
IXYS IGBTs 3600V/45A Reverse Conducting IGBT
Fiche technique
304En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si ISOPLUS i4-PAC-3 Through Hole Single 3.6 kV 3.4 V - 20 V, 20 V 18 A 230 W - 55 C + 150 C Tube

IXYS IGBTs 1700V 16A
Fiche technique
1.193En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.7 kV 6 V - 20 V, 20 V 16 A 190 W - 55 C + 150 C IXBH16N170 Tube

IXYS IGBTs 1700V 75A
Fiche technique
744En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.7 kV 2.8 V - 20 V, 20 V 80 A 360 W - 55 C + 150 C IXBH42N170 Tube
IXYS IGBTs BIMOSFETS 1700V 200A
Fiche technique
684En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-264-3 Through Hole Single 1.7 kV 3.1 V - 20 V, 20 V 200 A 1.04 kW - 55 C + 150 C IXBK75N170 Tube
IXYS IGBTs SMPDB 3KV 22A IGBT
Fiche technique
272En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT Quad 3 kV 2.7 V - 20 V, 20 V 38 A 150 W - 55 C + 150 C Tube
IXYS IGBTs BIMOSFETS 1700V 60A
Fiche technique
219En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.7 kV 2.5 V - 20 V, 20 V 60 A 250 W - 55 C + 150 C IXBH24N170 Tube
IXYS IGBTs TO268 3KV 12A BIMOSFET
Fiche technique
277En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT Single 3 kV 3.2 V - 20 V, 20 V 30 A 160 W - 55 C + 150 C Very High Voltage Tube
IXYS IGBTs TO268 2500V 2A IGBT
Fiche technique
505En stock
660Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 SMD/SMT Single 2.5 kV 3.8 V - 20 V, 20 V 5 A 32 W - 55 C + 150 C Planar Tube
IXYS IGBTs BIMOSET 42A 1700V
Fiche technique
297En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.7 kV 6 V - 20 V, 20 V 42 A 357 W - 55 C + 150 C IXBH42N170 Tube
IXYS IGBTs TO264 3KV 55A BIMOSFET
Fiche technique
1.27513/07/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-264-3 Through Hole Single 3 kV 3.2 V - 25 V, 25 V 130 A 625 W - 55 C + 150 C Very High Voltage Tube
IXYS IGBTs IGBT BIMSFT-VERY HIV OLT
Fiche technique
30013/07/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT Single 3 kV 2.7 V - 20 V, 20 V 38 A 200 W - 55 C + 150 C Very High Voltage Tube

IXYS IGBTs TO247 3KV 12A IGBT
Fiche technique
30001/04/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 3 kV 3.2 V - 20 V, 20 V 30 A 160 W - 55 C + 150 C Very High Voltage Tube
IXYS IGBTs TO263 3KV 14A HI GAIN
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 48 Semaines
Min. : 300
Mult. : 50

Si TO-263HV-3 SMD/SMT Single 3 kV 2.2 V - 20 V, 20 V 38 A 200 W - 55 C + 150 C Very High Voltage Tube
IXYS IGBTs Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt I4-PAK ISO+
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 27 Semaines
Min. : 300
Mult. : 25

Si ISOPLUS i4-3 Through Hole Single 3 kV 3.2 V - 20 V, 20 V 34 A 150 W - 55 C + 150 C Very High Voltage Tube
IXYS IGBTs ISOPLUS 3KV 22A IGBT
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 34 Semaines
Min. : 300
Mult. : 25

Si ISOPLUS i4-3 Through Hole Single 3 kV 2.8 V - 20 V, 20 V 40 A 160 W - 55 C + 150 C Very High Voltage Tube