Renesas Electronics FET SuperGaN® TP65H070G4RS 650 V boîtier TOLT

Le FET Renesas Electronics TP65H070G4RS 650 V SuperGaN^® dans un boîtier TOLT présente une résistance à l’état passant RDS_(on) de 72 mΩ standard dans un boîtier TOLT à montage en surface refroidi par le haut qui répond à la norme JEDEC MO-332. Le boîtier TOLT offre une flexibilité de gestion thermique, en particulier dans les systèmes qui ne permettent pas l’utilisation de dispositifs de montage en surface conventionnels avec refroidissement sur la face inférieure. Le TP65H070G4RS est un dispositif normalement éteint qui combine les technologies MOSFET en silicium basse tension et HEMT GaN haute tension pour offrir une fiabilité et une performance supérieures. La plateforme Gen IV SuperGaN s'appuie sur des technologies de conception épitaxiales (epi) avancées et brevetées pour rationaliser la fabricabilité et améliorer l'efficacité par rapport au silicium. Elle y parvient en réduisant la charge de grille, la perte de croisement, la capacité de sortie et la charge de récupération inverse. Le FET SuperGaN de 650 V TOLT TP65H070G4RS de Renesas Electronics est idéal pour les applications datacom, industrielles, informatiques et autres.