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TP65H070G4PS

Name: Renesas Electronics TP65H070G4PS
Brand: Renesas Electronics
SKU: 227-TP65H070G4PS
Price: 6.46 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

227-TP65H070G4PS

N° de fab. :

TP65H070G4PS

Fab. :

Renesas Electronics

Description :

FET GaN 650V, 70mohm GaN FET in TO220

Fiche technique:

TP65H070G4PS Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	6,46 €	6,46 €
	3,48 €	34,80 €
	3,20 €	320,00 €
	2,82 €	1.410,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1000)
	2,82 €	2.820,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Renesas Electronics
Catégorie du produit:	FET GaN
RoHS:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	29 A
Rds On - Résistance drain-source:	85 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.7 V
Qg - Charge de grille:	9 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	96 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	SuperGaN
Marque:	Renesas Electronics
Temps de descente:	7.2 ns
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Type de produit:	GaN FETs
Temps de montée:	6.2 ns
Série:	Gen IV SuperGaN
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Délai de désactivation type:	56 ns
Délai d'activation standard:	43.4 ns

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Fiche technique

TP65H070G4PS Fiche technique (PDF)

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

FET GaN SuperGaN® de 650 V TP65H070G4PS

Le FET au nitrure de gallium (GaN) SuperGaN^® 650 V TP65H070G4PS de Renesas Electronics est un dispositif 650 V normalement bloqué de 70 mΩ offrant une qualité et des performances supérieures. Le TP65H070G4PS combine des technologies HEMT GaN haute tension et MOSFET silicium basse tension dans un boîtier TO-220 à trois broches. Fonctionnant dans une plage de température de -55 °C à +150 °C, ce composant présente une puissance dissipable admissible de 26 W, une plage de courant de drain continu de 18,4 A à 29 A et un courant de drain pulsé de 120 A (maximum). La plateforme Gen IV SuperGaN de Renesas Electronics utilise des technologies de conception epi avancées et brevetées pour simplifier la fabricabilité tout en améliorant l'efficacité par rapport au silicium via une charge de grille, une capacité de sortie, une perte de croisement et une charge de récupération inverse inférieures.

Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN^® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.