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TP65H050G4YS

Name: Renesas Electronics TP65H050G4YS
Brand: Renesas Electronics
SKU: 227-TP65H050G4YS
Price: 8.4 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

227-TP65H050G4YS

N° de fab. :

TP65H050G4YS

Fab. :

Renesas Electronics

Description :

FET GaN 650V, 50mohm GaN FET in TO247-4L

Fiche technique:

TP65H050G4YS Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Renesas Electronics
Catégorie du produit:	FET GaN
RoHS:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	35 A
Rds On - Résistance drain-source:	60 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.8 V
Qg - Charge de grille:	16 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	132 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	SuperGaN
Marque:	Renesas Electronics
Configuration:	Cascode
Temps de descente:	8 ns
Conditionnement:	Tube
Type de produit:	GaN FETs
Temps de montée:	5 ns
Série:	Gen IV SuperGaN
Nombre de pièces de l'usine:	1200
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Type de transistor:	GaN HEMT
Délai de désactivation type:	40 ns
Délai d'activation standard:	40 ns

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Fiche technique

TP65H050G4YS Fiche technique

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Dispositif FET SuperGaN® 650 V TP65H050G4YS

Le dispositif FET SuperGaN^® 650 V TP65H050G4YS de Renesas Electronics est un dispositif à semi-conducteur à nitrure de gallium (GaN) de 50 mΩ normalement bloqué, disponible dans un boîtier TO-247 à 4 broches. Ce FET SuperGaN Gen IV implémente la plateforme Gen IV qui prend en charge des technologies avancées d'épitaxie et de conceptions brevetées pour simplifier la fabricabilité. Le FET de 650 V TP65H050G4YS combine un HEMT GaN haute tension de pointe avec un MOSFET silicium basse tension pour une fiabilité et une performance supérieure. Ce FET SuperGaN améliore l'efficacité par rapport au silicium grâce à une charge de grille, une capacité de sortie, une perte de croisement et une charge de récupération inverse inférieures. Les applications typiques incluent les datacom industrielles générales, les convertisseurs photovoltaïques et les servomoteurs.

Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN^® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.