STMicroelectronics MOSFET de puissance STripFET VII DeepGATE STH315N10F7

Les MOSFET de puissance STripFET™ VII DeepGATE™ STH315N10F7 STMicroelectronics sont des MOSFET de puissance à canal N qualifiés AEC-Q101 pour l'industrie automobile qui combinent une résistance à l'état passant la meilleure de sa catégorie avec de faibles capacités internes et charge de grille, améliorant à la fois la conduction et le rendement de commutation. Disponibles en boîtiers standard TO-220 ou H2PAK à 2 ou 6 broches, ces composants aident les concepteurs à réduire la taille de la carte et à optimiser la densité de puissance. Les MOSFET STH315N10F7 disposent aussi d'une haute robustesse en cascade pour résister à des conditions potentiellement destructrices. Avec une tension nominale de 100 V, ces MOSFET STripFET VII DeepGATE donnent une marge de sécurité adéquate pour supporter les surtensions classiques. Les MOSFET STripFET VII DeepGATE STH315N10F7 sont également bien adaptés à des performances hautement résistantes en applications de commutation et pour l'automobile.

Available in TO-220 or 2-lead or 6-lead H2PAK industry-standard packages, the STMicroelectronics STH315N10F7 STripFET VII DeepGATE Power MOSFETs help designers reduce board size and maximize power density.

Caractéristiques

  • AEC-Q101 qualified
  • Ultra-low RDS(on) 
  • Excellent FoM (figure of merit)
  • Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity
  • High avalanche ruggedness
  • Available in TO-220 or 2-lead or 6-lead H2PAK packages

Applications

  • Switching applications

Caractéristiques techniques

  • 2.3mΩ maximum drain-source on-resistance (RDS(on))
  • 100V drain-source voltage (VDS)
  • ±20V gate-source voltage (VGS)
  • 180A continuous drain current (ID)
  • 720A pulsed drain current (IDM)
  • 315W total dissipation at TC = +25°C (PTOT)
  • 2.1W/°C derating factor
  • 1J single pulse avalanche energy (EAS)
  • -55°C to +175°C operating junction and storage temperature range (Tj, Tstg)

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Numéro de pièce Fiche technique Package/Boîte Style de montage
STH315N10F7-6 STH315N10F7-6 Fiche technique TO-263-7 SMD/SMT
STH315N10F7-2 STH315N10F7-2 Fiche technique H2PAK-2 SMD/SMT
STP315N10F7 STP315N10F7 Fiche technique TO-220-3 Through Hole
Publié le: 2014-07-10 | Mis à jour le: 2022-03-11