MOSFET de puissance STripFET VII DeepGATE STH315N10F7

Les MOSFET de puissance STripFET™ VII DeepGATE™ STH315N10F7 STMicroelectronics sont des MOSFET de puissance à canal N qualifiés AEC-Q101 pour l'industrie automobile qui combinent une résistance à l'état passant la meilleure de sa catégorie avec de faibles capacités internes et charge de grille, améliorant à la fois la conduction et le rendement de commutation. Disponibles en boîtiers standard TO-220 ou H2PAK à 2 ou 6 broches, ces composants aident les concepteurs à réduire la taille de la carte et à optimiser la densité de puissance. Les MOSFET STH315N10F7 disposent aussi d'une haute robustesse en cascade pour résister à des conditions potentiellement destructrices. Avec une tension nominale de 100 V, ces MOSFET STripFET VII DeepGATE donnent une marge de sécurité adéquate pour supporter les surtensions classiques. Les MOSFET STripFET VII DeepGATE STH315N10F7 sont également bien adaptés à des performances hautement résistantes en applications de commutation et pour l'automobile.
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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Qualification Nom commercial Conditionnement
STMicroelectronics MOSFET Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET 2.895En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.000

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 180 nC - 55 C + 175 C 315 W Enhancement AEC-Q101 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET 889En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.000

Si SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 180 nC - 55 C + 175 C 315 W Enhancement AEC-Q101 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET Automotive-grade N-channel 100 V, 2.3 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET Délai de livraison 26 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 180 nC - 55 C + 175 C 315 W Enhancement AEC-Q101 STripFET Tube