MOSFET de puissance STripFET VII DeepGATE STH315N10F7
Les MOSFET de puissance STripFET™ VII DeepGATE™ STH315N10F7 STMicroelectronics sont des MOSFET de puissance à canal N qualifiés AEC-Q101 pour l'industrie automobile qui combinent une résistance à l'état passant la meilleure de sa catégorie avec de faibles capacités internes et charge de grille, améliorant à la fois la conduction et le rendement de commutation. Disponibles en boîtiers standard TO-220 ou H2PAK à 2 ou 6 broches, ces composants aident les concepteurs à réduire la taille de la carte et à optimiser la densité de puissance. Les MOSFET STH315N10F7 disposent aussi d'une haute robustesse en cascade pour résister à des conditions potentiellement destructrices. Avec une tension nominale de 100 V, ces MOSFET STripFET VII DeepGATE donnent une marge de sécurité adéquate pour supporter les surtensions classiques. Les MOSFET STripFET VII DeepGATE STH315N10F7 sont également bien adaptés à des performances hautement résistantes en applications de commutation et pour l'automobile.
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