STMicroelectronics MOSFET au carbure de silicium SCTx0N120

Les MOSFET de puissance au carbure de silicium SCTx0N120 STMicroelectronics sont produits à partir de matériaux de pointe et innovants à grande largeur de bande. Ceci entraîne une résistance en fonctionnement par unité de surface inégalée et de très bonnes performances de commutation presque indépendamment de la température. Les propriétés thermiques exceptionnelles du matériau SiC et le boîtier exclusif HiP247™ permettent aux concepteurs d'utiliser un profil au standard industriel avec des capacités thermiques améliorées. Ces caractéristiques rendent les composants parfaitement adaptés aux applications à haut rendement et à haute densité d'alimentation.

Caractéristiques

Dispositifs certifiés pour l'industrie automobile (AG)
Capables de supporter des températures très élevées (max. TJ = 200 °C)
Très faibles pertes de commutation (variation minimale en fonction de la température) permettant un fonctionnement à une fréquence de commutation très élevée

Faible résistance à l'état passant sur toute la plage de température
Simple à piloter
Diode intrinsèque très rapide et robuste éprouvée

Applications

Onduleurs solaires, UPS
Entraînements moteurs

Convertisseurs CC-CC haute tension
Alimentations à découpage

SiC MOSFET Portfolio

The STMicro STPOWER SiC MOSFET portfolio offers state-of-the-art packages (HiP247, H2PAK-7, TO-247 long leads, STPAK, and HU3PAK) designed for automotive and industrial applications.