onsemi Module au carbure de silicium (SiC) NVXK2TR80WDT
Le Module au carbure de silicium (SiC) NVXK2TR80WDT Onsemi est un module d'alimentation Elite à double demi-pont 1 200 V,Ω 80 m et 20 A logé dans un boîtier DIP (double alignement) APM32. Ce module à SiC est conçu de manière compacte pour avoir une faible résistance totale de module. Le module d'alimentation NVXK2TR80WDT est homologué pour l'automobile selon AEC-Q101 et AQG324. Ce module d'alimentation est sans plomb, conformément aux directives RoHS et UL94V-0. Le module MOSFET EliteSiC NVXK2TR80WDT est idéal pour les chargeurs CC-CC HT et embarqués dans les applications xEV.
Caractéristiques
- Module d'alimentation à double demi-pont en carbure de silicium (SiC) DIP
- Tension drain-source (VDSS) de 1 200 V
- Courant de drain continu (ID) de 20 A
- Résistance drain-source à l’état passant (RDS(ON)) de 80 mΩ (standard)
- Plage de températures de jonction de fonctionnement (TJ) de -40 à 175 °C
- Ligne de fuite et distance d'isolement conformes aux normes IEC60664-1 et CEI 60950-1
- Conception compacte pour une faible résistance totale du module
- Sérialisation du module pour une traçabilité complète
- Sans plomb
- Conforme aux directives RoHS et UL94V-0
- Homologation automobile selon AEC-Q101 et AQG324
Applications
- Chargeur CC/CC HT et embarqué pour EV-PHEV
- Chargeur embarqué de 11 kW à 22 kW pour EV-PHEV
Module demi-pont SiC MOSFET
Modules associés
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Publié le: 2024-08-02
| Mis à jour le: 2024-08-28