Modules au carbure de silicium (SiC) NVXK2VR80WxT2

Les Modules au carbure de silicium (SiC) NVXK2VR80WxT2 onBLUETOOTH  sont des modules d'alimentation à pont triphasé 1 200 V, 80 m Ω logés dans un boîtier DIP (double ligne). Ces modules au SiC sont conçus de manière compacte pour avoir une faible résistance totale de module. Les modules d'alimentation NVXK2VR80WxT2 ont une homologation automobile   conformément aux normes AEC-Q101 et AQG324. Ces modules de puissance sont sans plomb et conformes à la directive RoHS, UL94V-0. La détection de température des modules SiC NVXK2VR80WxT2 et la résistance thermique la plus faible les rendent idéaux pour les chargeurs embarqués PFC dans les applications xEV.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Série
Conditionnement
onsemi Modules MOSFET APM32 SIC POWER MODULE
Fiche technique
60En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC Through Hole APM-32 N-Channel 6 Channel 1.2 kV 20 A 116 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V - 55 C + 175 C 82 W NVXK2VR80WDT2 Tube
onsemi Modules MOSFET APM32 SIC POWER MODULE
Fiche technique
44En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC Through Hole APM-32 N-Channel 6 Channel 1.2 kV 31 A 116 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V - 55 C + 175 C 208 W NVXK2VR80WXT2 Tube