Module NVXK2TR40WXT en carbure de silicium (SiC)

Le module NVXK2TR40WXT en carbure de silicium (SiC) d’Onsemi est un module de puissance EliteSiC à double demi-pont de 1 200 V, 40mΩ et 27 A, logé dans un boîtier DIP (dual Inline Package) APM32. Ce module en SiC est conçu de manière compacte pour avoir une faible résistance totale de module. Le module d’alimentation NVXK2TR40WXT est homologué pour l’automobile  selon les normes AEC-Q101 et AQG324. Ce module d’alimentation est sans plomb, conforme aux directives RoHS et UL94V-0. Le module d’alimentation MOSFET EliteSiC NVXK2TR40WXT est idéalement utilisé dans les alimentations CC-CC et les chargeurs embarqués dans les applications pour véhicules électriques.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Série
Conditionnement
onsemi Modules MOSFET APM32 SIC POWER MODULE
Fiche technique
573En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC Through Hole APM-32 N-Channel 6 Channel 1.2 kV 55 A 59 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V - 55 C + 175 C 319 W NVXK2VR40WXT2 Tube
onsemi Modules MOSFET APM32 SIC H-BRIDGE POWER MODULE
Fiche technique
34En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC Through Hole APM-32 N-Channel 4 Channel 1.2 kV 27 A 59 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V - 55 C + 175 C 319 W NVXK2TR40WXT Tube