Nexperia FET GaN eMode
Nexperia eMode GaN FETs come in a voltage range from 100V to 650V with superior switching performance. These GaN FETs offer fast transition capabilities through their low QC and QOSS values, resulting in excellent power efficiency.
Les FET GaN eMode basse tension (200 V) de Nexperia offrent une flexibilité optimale dans les systèmes d’alimentation. Ces composants permettent une charge plus rapide pour les systèmes d’e-mobilité et de changement filaire/sans fil, ainsi qu’un gain de place et de BOM significatif dans le LiDAR et un bruit réduit dans les amplificateurs audio de classe D.
Les FET GaN eMode haute tension (200 V-650 V) de Nexperia offrent une flexibilité optimale dans les systèmes d’alimentation et sont idéaux pour les applications de puissance moyenne <1 kW. Ces composants apportent un rendement amélioré à la conversion de puissance de 650 V CA/CC et CC/CA. En plus d’apporter des économies d’espace et de nomenclature significatives dans les entraînements de moteurs BLDC et micro servomoteurs ou les pilotes LED.
Caractéristiques
- Mode d'amélioration - commutateur d'alimentation normalement éteint
- Capacité de commutation à ultra-haute fréquence
- Aucune diode de corps
- Faible charge de grille, faible charge de sortie
- Rendement élevé et densité de puissance élevée
- Qualifié pour les applications standard
- Protection DES
- Sans plomb, conforme RoHS et REACH
Applications
- Haute densité de puissance et conversion de puissance à haut rendement
- Convertisseurs CA vers CC
- Chargement de batterie rapide, téléphone portable, ordinateur portable, tablette et chargeurs USB Type-C™
- Convertisseurs (CA vers CC et CC vers CC) (datacom et télécoms)
- Commandes de moteurs
- Amplificateurs audio classe D
Vidéos
Ressources supplémentaires
- Technologie Power GaN : Le besoin d'une conversion d'énergie efficace
- Nexperia lance des FET GAN e-mode pour les applications basse et haute tension
- Conception de circuit de commande de grille pour FET GaN à mode d'amélioration (e-mode) 650 V de Nexperia
- FET GaN 650 V – de l'invention à l'industrialisation
- Élimination des CEM en remplaçant un MOSFET par un transistor GaN
- Technologie Power GaN : le besoin d'une conversion de puissance efficace
- Dépliant FET au nitrure de gallium (GaN) de puissance
- Power GaN : le besoin d'une conversion de puissance efficace
- Extension des applications FET GaN avec e-mode
- Le GaN met l'accent sur le rendement des onduleurs PV
FET GaN associés
Nexperia FET GaN pour les applications industrielles
Utilisation efficace de l'alimentation et efficacité dans la conversion et le contrôle de l'alimentation.
Nexperia FET au nitrure de gallium (GaN) GAN041-650WSB
Offre une tension drain-source de 650 V, un courant de drain nominal de 47,2 A et une résistance maximale de 41 mΩ.