Nexperia FET au nitrure de gallium (GaN) GAN041-650WSB

Le FET au nitrure de gallium (GaN) GAN041-650WSB de Nexperia offre une tension drain-source de 650 V, un courant de drain nominal de 47,2 A et une résistance maximale de 41 mΩ. Le GAN041 est fourni en boîtier TO-247 et est un composant normalement désactivé qui combine la technologie H2 HEMT GaN à haute tension et les technologies MOSFET au silicium basse tension. La combinaison de ces technologies offre une fiabilité et des performances supérieures. Le FET GaN GAN041-650WSB de Nexperia est idéal pour les PFC Totem Pole sans pont, les entraînements de servomoteurs et les convertisseurs de commutation dure et douce pour l'alimentation industrielle et des datacom.