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GAN041-650WSBQ

Name: Nexperia GAN041-650WSBQ
Brand: Nexperia
SKU: 771-GAN041-650WSBQ
Price: 9.87 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

771-GAN041-650WSBQ

N° de fab. :

GAN041-650WSBQ

Fab. :

Nexperia

Description :

FET GaN SOT247 650V 47.2A N-CH MOSFET

Fiche technique:

GAN041-650WSBQ Fiche technique (PDF)

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Nexperia
Catégorie du produit:	FET GaN
RoHS:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	SOT-429-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	47.2 A
Rds On - Résistance drain-source:	41 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.5 V
Qg - Charge de grille:	22 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	187 W
Mode canal:	Enhancement
Marque:	Nexperia
Configuration:	Single
Temps de descente:	10 ns
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Type de produit:	GaN FETs
Temps de montée:	10 ns
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Raccourcis pour l'article N°:	934661752127
Poids de l''unité:	123 mg

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

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