Vishay MOSFET ThunderFET® SISS94DN
Le MOSFET ThunderFET® SISS94DN de Vishay est un composant 200 VDS à canal N qui utilise le TrenchFET® avec la technologie ThunderFET. Ce MOSFET ThunderFET® optimise l'équilibre de RDS(on), Qg, Qsw et Qoss. Le composant est testé à 100 % Rg et commutation inductive non limitée (UIS). Ce MOSFET SISS94DN est disponible en boîtier PowerPAK 1212-8S et est sans plomb (Pb) et sans halogène (SiSS94DN-T1-GE3). Le MOSFET fonctionne sur une plage de température de -55 °C à 150 ºC et est fourni en configuration unique. Les applications typiques comprennent la commutation côté primaire, le redressement synchrone, les topologies CC/CC, l'éclairage, le commutateur de charge et le contrôle d'entraînement de moteur.
Caractéristiques
- TrenchFET® avec technologie ThunderFET optimise l'équilibre de RDS(on), QG, Qsw et Qoss
- Leadership RDS(on)
- 100% testé à Rg et UIS
Applications
- Commutation côté primaire
- Redressement synchrone
- Topologies CC/CC
- Éclairage
- Commutation de charge
- Convertisseur élévateur
- Commande de moteurs
Caractéristiques techniques
- Tension drain-source (VDS) 200 V
- Résistance à l'état passant drain-source (RDS(on)) :
- 0,075 Ω max. à VGS = 10 V
- 0,078 Ω max. à VGS = 7,5 V
- Charge de grille totale standard de 11 nC (Qg)
- Charge de sortie standard de 29 nC (Qoss)
- Courant de drain continu (ID) 19,5 A
- Plage de température de fonctionnement: de -55°C à + 150°C
Caractéristiques de sortie standard
MOSFET associés
Vishay / Siliconix MOSFET de puissance ThunderFET®
Valeurs les plus basses de résistances sous tension de l'industrie pour des MOSFET de 100 V avec une valeur de 4,5 V.
Vishay SISS7xDN TrenchFET MOSFETs
Use TrenchFET® with ThunderFET technology that optimizes the balance of RDS, QG, QSW, and QOSS.
Publié le: 2020-09-25
| Mis à jour le: 2024-12-23