SISS7xDN TrenchFET MOSFETs

Vishay SISS7xDN-T1-GE3 TrenchFET MOSFETs use TrenchFET® with ThunderFET technology that optimizes the balance of RDS, QG, QSW, and QOSS. These MOSFETs are 100% Rg and Unclamped Inductive Switching (UIS) tested. The SISS7xDN TrenchFET MOSFETs find applications in primary side switching, synchronous rectification, DC/DC converters, motor drive control, and load switches. These MOSFETs are available in PowerPAK 1212-8S package.

Résultats: 2
Sélectionner Image Référence
 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nom commercial
Conditionnement
Vishay Semiconductors MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
Fiche technique
6.619En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK1212-8 N-Channel 1 Channel 150 V 25.5 A 42 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 22 nC - 55 C + 150 C 65.8 W Enhancement TrenchFET, ThunderFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET 125V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
Fiche technique
8.990En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK1212-8 N-Channel 1 Channel 125 V 31 A 29.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 15.3 nC - 55 C + 150 C 65.8 W Enhancement TrenchFET, ThunderFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel