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SISS94DN-T1-GE3

Name: Vishay SISS94DN-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SISS94DN-T1-GE3
Price: 1.23 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

78-SISS94DN-T1-GE3

N° de fab. :

SISS94DN-T1-GE3

Fab. :

Vishay Semiconductors

Description :

MOSFET N-CHANNEL 200-V(D-S) PowerPAK 1212-8S

Fiche technique:

SISS94DN-T1-GE3 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	1,23 €	1,23 €
	0,776 €	7,76 €
	0,514 €	51,40 €
	0,402 €	201,00 €
	0,366 €	366,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,343 €	1.029,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Vishay
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PowerPAK-1212-8SH-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	200 V
Id - Courant continu de fuite:	19.5 A
Rds On - Résistance drain-source:	75 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	11 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	65.8 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	TrenchFET
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Vishay Semiconductors
Configuration:	Single
Temps de descente:	7 ns
Transconductance directe - min.:	12 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	5 ns
Série:	SISS
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	20 ns
Délai d'activation standard:	12 ns
Poids de l''unité:	488,500 mg

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET ThunderFET® SISS94DN

Le MOSFET ThunderFET^® SISS94DN de Vishay est un composant 200 VDS à canal N qui utilise le TrenchFET^® avec la technologie ThunderFET. Ce MOSFET ThunderFET^® optimise l'équilibre de R_DS(on), Q_g, Q_sw et Q_oss. Le composant est testé à 100 % R_g et commutation inductive non limitée (UIS). Ce MOSFET SISS94DN est disponible en boîtier PowerPAK 1212-8S et est sans plomb (Pb) et sans halogène (SiSS94DN-T1-GE3). Le MOSFET fonctionne sur une plage de température de -55 °C à 150 ºC et est fourni en configuration unique. Les applications typiques comprennent la commutation côté primaire, le redressement synchrone, les topologies CC/CC, l'éclairage, le commutateur de charge et le contrôle d'entraînement de moteur.

MOSFET de puissance ThunderFET®

Les MOSFET de puissance Vishay Siliconix ThunderFET® offrent les valeurs les plus basses de résistances sous tension de l'industrie pour des MOSFET de 100 V avec une valeur de 4,5 V. En plus de la résistance sous tension et de la charge de grille, les produits offrent la meilleure valeur clé de mérite (FOM) pour les MOSFET des convertisseurs CC-CC dans leur catégorie. Pour les concepteurs, la résistance sous tension plus faible donne des pertes de conduction inférieures et une consommation d'énergie réduite pour des solutions vertes économes en énergie. Ces dispositifs sont optimisés pour la commutation côté primaire et le redressement synchrone côté secondaire des conceptions d'alimentations CC/CC isolées pour les applications des convertisseurs briques et bus de télécommunication. La valeur 4,5 V de la résistance sous tension des MOSFET permet d'envisager une grande variété de CI MLI et de commande de grille.
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