STMicroelectronics MOSFET de puissance STripFET F8 à canal N STL320N4LF8
Le MOSFET de puissance STripFET F8 STMicroelectronics STL320N4LF8 à canal N est fabriqué selon la technologie MOSFET STRipFET F8 à tranchées. Le dispositif est entièrement qualifié pour une qualité industrielle. Le STL320N4LF8 réduit la résistance en marche et la perte de commutation tout en optimisant les propriétés de la diode à drain corporel. Le MOSFET économise de l'énergie et garantit un faible bruit dans les circuits de conversion de puissance et de commande de moteur.
Caractéristiques
- Excellente douceur de la diode de drain corporel
- Faible émission de bruit EMI
- Faible capacité de sortie et résistance série
- Pics faibles pour la tension drain-source à l'arrêt et le temps d'oscillation court
- Faible charge du drain de grille
- Arrêt rapide et faibles pertes de commutation
- Étalement serré de la tension de seuil de la porte
- Connexion parallèle facile
- Capacité de courant très élevée
- Haute résistance aux courts-circuits
Applications
- Conversion de puissance
- Contrôle de moteur
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STMicroelectronics MOSFET de puissance STripFET F8 à canal N
Conformes à AEC-Q101, ils offrent une solution de boîtier complète de 30 V à 150 V.
Publié le: 2022-06-17
| Mis à jour le: 2024-11-18