MOSFET de puissance STripFET F8 à canal N

Les MOSFET de puissance à canal N STripFET F8 de STMicroelectronics sont conformes à AEC-Q101 et offrent une solution de boîtier complète de 30 V à 150 V pour répondre à toutes les exigences des solutions à très haute densité de puissance. Ces MOSFET basse tension intègrent une technologie STripFET F8. La technologie STRipFET F8 permet d’économiser de l’énergie et garantit un faible bruit dans les circuits de conversion d'énergie, de contrôle de moteur et de distribution d’énergie en réduisant à la fois la résistance de conduction et les pertes de commutation tout en optimisant les propriétés de la diode de corps. Les MOSFET de puissance à canal N STRipFET F8 de STMicroelectronics simplifient les conceptions de systèmes et augmentent l’efficacité dans des applications telles que l’automobile, l’informatique et les périphériques, les centres de données, les télécommunications, l’énergie solaire, les alimentations électriques et les convertisseurs, les chargeurs de batteries, les appareils domestiques/professionnels, les jeux, les drones, et bien d’autres.