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STL320N4LF8

Name: STMicroelectronics STL320N4LF8
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STL320N4LF8
Price: 2.55 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-STL320N4LF8

N° de fab. :

STL320N4LF8

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET N-channel enhancement mode logic level 40V 0.8mOhm 360A STripFET F8 Power MOSFET

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Fiche technique:

STL320N4LF8 Fiche technique (PDF)

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	2,55 €	2,55 €
	1,65 €	16,50 €
	1,21 €	121,00 €
	1,01 €	505,00 €
	0,877 €	877,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,832 €	2.496,00 €
	0,831 €	4.986,00 €
24.000	Devis

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	40 V
Id - Courant continu de fuite:	360 A
Rds On - Résistance drain-source:	800 uOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2 V
Qg - Charge de grille:	43 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	188 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	STripFET
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	STMicroelectronics
Type de produit:	MOSFETs
Série:	STripFET F8
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors

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Fiche technique

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance STripFET F8 à canal N

Les MOSFET de puissance à canal N STripFET F8 de STMicroelectronics sont conformes à AEC-Q101 et offrent une solution de boîtier complète de 30 V à 150 V pour répondre à toutes les exigences des solutions à très haute densité de puissance. Ces MOSFET basse tension intègrent une technologie STripFET F8. La technologie STRipFET F8 permet d’économiser de l’énergie et garantit un faible bruit dans les circuits de conversion d'énergie, de contrôle de moteur et de distribution d’énergie en réduisant à la fois la résistance de conduction et les pertes de commutation tout en optimisant les propriétés de la diode de corps. Les MOSFET de puissance à canal N STRipFET F8 de STMicroelectronics simplifient les conceptions de systèmes et augmentent l’efficacité dans des applications telles que l’automobile, l’informatique et les périphériques, les centres de données, les télécommunications, l’énergie solaire, les alimentations électriques et les convertisseurs, les chargeurs de batteries, les appareils domestiques/professionnels, les jeux, les drones, et bien d’autres.

MOSFET de puissance STripFET F8 à canal N STL320N4LF8

Le MOSFET de puissance STripFET F8 STMicroelectronics STL320N4LF8 à canal N est fabriqué selon la technologie MOSFET STRipFET F8 à tranchées. Le dispositif est entièrement qualifié pour une qualité industrielle. Le STL320N4LF8 réduit la résistance en marche et la perte de commutation tout en optimisant les propriétés de la diode à drain corporel. Le MOSFET économise de l'énergie et garantit un faible bruit dans les circuits de conversion de puissance et de commande de moteur.