STMicroelectronics MOSFET STripFET à canal N 100 V STL120N10F8
Le MOSFET STripFET à mode d'amélioration à canal N 100 V STL120N10F8 de STMicroelectronics utilise la technologie STripFET F8 de ST disposant d'une structure de grille en tranchée améliorée. Il garantit une très faible résistance à l'état passant tout en réduisant les capacités internes et la charge de grille pour une commutation plus rapide et plus efficace. Le STL120N10F8 de STMicroelectronics est idéal pour les applications de commutation.
Caractéristiques
- Classe MSL1
- Température de fonctionnement 175 °C
- Testé à 100 % en mode avalanche
Vidéos
Ressources supplémentaires
- Note d’application : Impact de MOSFET de puissance VGS sur performance deconvertisseur Buck
- Note d'application : MOSFET de puissance : Impact Rg sur les applications
- Note d'application : Les technologies MOSFET de ST pour les alimentations sans interruption
- Note d'application : Le problème de l'avalanche : Comparaison des impacts des paramètres IAR et EAS
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Publié le: 2023-05-04
| Mis à jour le: 2024-11-18