STL120N10F8

STMicroelectronics
511-STL120N10F8
STL120N10F8

Fab. :

Description :
MOSFET N-Channel Enhancement Mode Standard Level 100V, 4.6mohm max, 125A STripFET F8

Modèle de ECAO:
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Stock:
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Délai usine :
13 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:
Conditionnement:
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™
2,23 € 2,23 €
1,44 € 14,40 €
0,989 € 98,90 €
0,791 € 395,50 €
0,767 € 767,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
0,67 € 2.010,00 €
† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées.

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
STMicroelectronics
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
N-Channel
1 Channel
100 V
125 A
4.6 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
56 nC
- 55 C
+ 175 C
150 W
Enhancement
STripFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marque: STMicroelectronics
Temps de descente: 17 ns
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 16 ns
Série: STripFET F8
Nombre de pièces de l'usine: 3000
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 N-Channel
Délai de désactivation type: 41 ns
Délai d'activation standard: 17 ns
Poids de l''unité: 76 mg
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Attributs sélectionnés: 0

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TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

MOSFET de puissance STripFET F8 à canal N

Les MOSFET de puissance à canal N STripFET F8 de STMicroelectronics sont conformes à AEC-Q101 et offrent une solution de boîtier complète de 30 V à 150 V pour répondre à toutes les exigences des solutions à très haute densité de puissance. Ces MOSFET basse tension intègrent une technologie STripFET F8. La technologie STRipFET F8 permet d’économiser de l’énergie et garantit un faible bruit dans les circuits de conversion d'énergie, de contrôle de moteur et de distribution d’énergie en réduisant à la fois la résistance de conduction et les pertes de commutation tout en optimisant les propriétés de la diode de corps. Les MOSFET de puissance à canal N STRipFET F8 de STMicroelectronics simplifient les conceptions de systèmes et augmentent l’efficacité dans des applications telles que l’automobile, l’informatique et les périphériques, les centres de données, les télécommunications, l’énergie solaire, les alimentations électriques et les convertisseurs, les chargeurs de batteries, les appareils domestiques/professionnels, les jeux, les drones, et bien d’autres. 

MOSFET STripFET à canal N 100 V STL120N10F8

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