Nouveauté Transistors JFET RF
CEL Low Noise FETs and ICs exhibit low noise figures and high associated gains, delivering exceptional noise figure performance at frequencies past 20GHz. These products are available in both ceramic and plastic packages that uphold the renowned Japanese manufacturing quality and reliability. The low-noise FETs and amplifier ICs offer better RF performance than other pHEMTs. Target markets for the devices include Digital Broadcast Systems (DBS), Low Noise Block (LNB) downconverters, and Very Small Aperture Terminal Satellite (VSAT) communication systems. Other typical applications include microwave communication systems, motion detectors, traffic monitoring, collision avoidance, and presence detections.
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CEL Low Noise FETs & ICsDeliver exceptional noise performance even beyond 20GHz with high associated gains.09.07.2023
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Qorvo Phemt GaAs discret 1 600 µm QPD2160DFournit 32,5 dBm de puissance de sortie à P1dB, un gain de 10,4 dB et un rendement de puissance ajoutée de 63 % à 1 dB.19.04.2022 -
Qorvo pHEMT GaAs discret 1 200 µm QPD2120DFournit 31 dBm de puissance de sortie à P1dB, un gain de 11,5 dB et un rendement de puissance ajoutée de 57 % à 1 dB.19.04.2022 -
Qorvo pHEMT GaAs discret 800 µm QPD2080DFournit 29,5 dBm de puissance de sortie à P1dB, un gain de 11,5 dB et un rendement de puissance ajoutée de 56 % à 1 dB.19.04.2022 -
Qorvo pHEMT GaAs discret 1 600 µm QPD2060DFournit 28 dBm de puissance de sortie à P1dB, un gain de 12 dB et un rendement de puissance ajoutée de 55 % à 1 dB.19.04.2022 -
Qorvo Puce pHEMT GaAs discrète 400 µm QPD2040DConçue à l'aide du procédé de production pHEMT de puissance standard éprouvé de 0,25 µm de Qorvo.14.02.2022 -
Qorvo Puce pHEMT GaAs discrète 180 µm QPD2018DUtilise le procédé de production pHEMT de puissance standard éprouvé de 0,25 µm de Qorvo.14.02.2022 -
Qorvo Puce pHEMT GaAs discrète 250 µm QPD2025DDéveloppée à l'aide du procédé éprouvé de production pHEMT de puissance standard de 0,25 µm de Qorvo.14.02.2022