Infineon Technologies Modules MOSFET EasyPACK™ CoolSiC™ Trench
Les modules MOSFET Trench EasyPACK™ CoolSiC™ d'Infineon Technologies sont dotés de la technologie de contact PressFIT et d'un capteur de température à coefficient de température négatif (NTC) intégré. Ces modules fonctionnent à une tension drain-source de 1 200 V, ils présentent une conception à faible inductance, de faibles pertes de commutation et une densité de courant élevée. Les modules EasyPACK™ offrent un montage robuste grâce aux pinces de montage intégrées et sont conditionnés avec un CTI >600. Les applications incluent des dispositifs de commutation haute fréquence, des convertisseurs CC/CC et des chargeurs CC pour véhicules électriques. Avec la série Easy 2C, Infineon améliore les conceptions haute puissance utilisant la technologie SiC G2 et des conceptions avancées.Caractéristiques du XT LeLa technologie XT apporte une robustesse améliorée et des températures de fonctionnement étendues, tandis que la technologie MOSFET SiC de deuxième génération offre une fiabilité améliorée de l'oxyde de grille et une résistance à l'état passant réduite.
Avec la série Easy 2C, Infineon améliore les conceptions haute puissance utilisant la technologie SiC G2 et des fonctionnalités avancées.Les fonctionnalités XT offre des performances exceptionnelles pour les applications exigeantes. LeLa technologie XT offre une robustesse accrue et des plages de température de fonctionnement étendues, tandis que la technologie MOSFET SiC de deuxième génération offre une fiabilité améliorée de l’oxyde de grille et une résistance à l’état passant réduite.
Caractéristiques
- Technologie MOSFET G2 SiC de deuxième génération avec une fiabilité améliorée de l'oxyde de la grille
- Boîtier Easy 2C™
- Technologie amélioréeTechnologie XT pour un fonctionnement sur une plage de température étendue et une robustesse supérieure
- Perte de commutation ultra-faible permettant un fonctionnement haute fréquence jusqu'à la plage du MHz
- Tension nominale VDSS de 1 200 V avec une capacité de gestion de courant exceptionnelle
- Interface thermique avancée avec capteur de température NTC intégré et conception optimisée de la plaque de base
- Conception de boîtier à faible inductance minimisant les effets parasites et les EMI
- Technologie de contact PressFIT pour des connexions fiables et sans soudure
- Des pinces de montage intégrées assurent un assemblage mécanique robuste
- Indice de performance du boîtier CTI > 600 pour une meilleure performance de fuite et de distance de séparation
- Configuration des broches à courant élevé optimisée pour les applications électriques
- Large zone de fonctionnement sûr (SOA) offrant une flexibilité de conception et une tolérance aux pannes
- Qualifié suivant les normes industrielles selon les protocoles de test CEI 60747, 60749 et 60068
Applications
- Dispositifs de commutation haute fréquence
- Convertisseurs CC/CC
- Chargeurs CC pour véhicules électriques
Vidéos
Schémas de circuit
Modules CoolSiC™ associés
Infineon Technologies Modules CoolSiC™ 1200 V
Ils sont dotés d'une haute densité de courant et d'une configuration à basse inductance avec une technologie de contact PressFIT et NTC.
Publié le: 2025-09-30
| Mis à jour le: 2026-02-17