Qorvo Carte d'évaluation QPD1026LEVB
La carte d'évaluation QPD1026LEVB de Qorvo est une plateforme de démonstration et de développement pour le transistor adapté à l'entrée RF au GaN QPD1026L. Le QPD1026L est un transistor discret de haute mobilité d'électrons (HEMT GaN sur SiC) au nitrure de gallium (P3dB) sur carbure de silicium de 1 300 W (P3dB) fonctionnant entre 420 MHz et 450 MHz. Le QPD1026L fournit un gain linéaire de 25,9 dB à 440 MHz.Le pré-correspondance d'entrée dans le boîtier facilite l'adaptation de la carte externe, économisant de l'espace sur la carte. Le dispositif prend en charge les opérations à onde continue et pulsée.
La carte d'évaluation QPD1026LEVB de Qorvo dispose d'un QPD1026L pré-monté dans un boîtier à cavité d'air NI-1230 aux normes de l'industrie. Le boîtier QPD1026L comprend une bride à oreilles pour implantation par vissage. La carte d'évaluation fournit un exemple de circuit d'application, permettant un prototypage rapide lorsqu'elle est intégrée aux conceptions existantes.
Dispositifs pris en charge
Qorvo Transistor adapté à l'entrée RF au GaN QPD1026L
GaN discret de 1 300 W (P3dB) sur HEMT SiC fonctionnant de 420 MHz à 450 MHz.
Configuration de la carte
Publié le: 2022-02-04
| Mis à jour le: 2022-03-11