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QPD1026L

Name: Qorvo QPD1026L
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD1026L
Price: 1489.24 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

772-QPD1026L

N° de fab. :

QPD1026L

Fab. :

Qorvo

Description :

FET GaN 1500W, 65V,GaN pre-matched, 442(+/-5) MH

Fiche technique:

QPD1026L Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Fabricant:	Qorvo
Catégorie du produit:	FET GaN
RoHS:
Marque:	Qorvo
Fréquence de fonctionnement max.:	450 MHz
Fréquence de fonctionnement min.:	420 MHz
Sensibles à l’humidité:	Yes
Alimentation en sortie:	1.5 kW
Conditionnement:	Waffle
Type de produit:	GaN FETs
Série:	QPD1026L
Nombre de pièces de l'usine:	18
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Type de transistor:	HEMT

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Fiche technique

QPD1026L Fiche technique (PDF)

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USHTS:: 8541497080
ECCN:: EAR99

Transistor adapté à l'entrée RF au GaN QPD1026L

Le transistor adapté à l'entrée RF au GaN QPD1026L de Qorvo est un transistor discret de 1 300 W (P3dB) au nitrure de gallium sur carbure de silicium à haute mobilité d'électrons (HEMT GaN sur SiC) fonctionnant entre 420 MHz et 450 MHz. Le QPD1026L fournit un gain linéaire de 25,9 dB à 440 MHz.Le pré-correspondance d'entrée dans le boîtier facilite l'adaptation de la carte externe, économisant de l'espace sur la carte. Le dispositif prend en charge les opérations à onde continue et pulsée.