Qorvo Transistor adapté à l'entrée RF au GaN QPD1026L
Le transistor adapté à l'entrée RF au GaN QPD1026L de Qorvo est un transistor discret de 1 300 W (P3dB) au nitrure de gallium sur carbure de silicium à haute mobilité d'électrons (HEMT GaN sur SiC) fonctionnant entre 420 MHz et 450 MHz. Le QPD1026L fournit un gain linéaire de 25,9 dB à 440 MHz.Le pré-correspondance d'entrée dans le boîtier facilite l'adaptation de la carte externe, économisant de l'espace sur la carte. Le dispositif prend en charge les opérations à onde continue et pulsée.
Le transistor adapté à l'entrée RF au GaN QPD1026L de Qorvo est logé dans un boîtier à cavité d'air NI-1230 aux normes de l'industrie et est idéal pour les applications de radio amateur, de radio de sécurité publique et de radiolocalisation. Le boîtier QPD1026L comprend une bride à oreilles pour implantation par vissage.
Caractéristiques
- Plage de fréquence : 420 MHz à 450 MHz
- Puissance de sortie : 1 418 W (P3dB) à 440 MHz
- Gain linéaire : 25,9 dB à 440 MHz
- Rendement en terme de puissance ajoutée (PAE) : 80,8 %
- Puissance de sortie saturée (PSAT)PAE: 61,2 dBm
- Tension de drain (VD) : +65 V
- Courant de polarisation de drain (IDQ) : 1 500 mA
- Prend en charge le fonctionnement CW et PWM
- Plage de température de fonctionnement : de -40 °C à +85 °C
- Boîtier à cavité d'air NI-1230 à oreilles
- Sans halogènes, sans plomb et conforme à la directive RoHS
Applications
- Radar UHF
- Radio amateur
- Radio de sécurité publique
- Service de radiolocalisation
Outils de développement
Qorvo Carte d'évaluation QPD1026LEVB
Plateforme de démonstration et de développement pour le transistor adapté à l'entrée RF au GaN QPD1026L.
Schéma fonctionnel
Désignations des broches
Publié le: 2022-02-03
| Mis à jour le: 2022-03-11