onsemi JFET SiC normalement actif 1 700 V-400 mW UF3N170400B7S

Le JFET SiC normalement actif 1 700 V-400 mW UF3N170400B7S de Qorvo apporte des charge de grille (Q_G) et résistance à l’état passant (R_DS(ON)) ultra-faibles qui permettent une faible conduction et une faible perte de commutation. La faible valeur R_DS(ON) de ce JFET à V_GS = 0 V est idéale pour les circuits de protection du courant sans avoir besoin de contrôle actif ou de montage cascode. Le JFET SiC normalement actif UF3N170400B7S 1700V-400mW offre une faible charge de grille et une faible capacité intrinsèque. Ce FET fonctionne sur une plage de température de -55 à +175 °C, est disponible en boîtier D²PAK-7L, conforme à la directive RoHS, sans halogène et sans plomb. Parmi les applications standard, on retrouve les circuits de protection contre les surintensités, les onduleurs CC-CA, les alimentations en mode commutation, les modules de correction du facteur de puissance, les entraînements de moteurs et le chauffage par induction.