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onsemi Transistor JFET canal N UF3N120007K4S 1 200 V

Le transistor JFET canal N EliteSic UF3N120007K4S 1 200 V de onsemi est un transistor JFET SiC de 3e génération à haute performance, de 1 200 V et 7,1 mΩ, normalement ouvert. Ce dispositif présente une résistance de conduction ultra-faible [RDS(ON)] dans un boîtier TO247-4, ce qui le rend idéal pour répondre aux contraintes thermiques importantes des disjoncteurs à semi-conducteurs et des applications de relais. Le transistor JFET canal N EliteSic UF3N120007K4SJFET de onsemi est une technologie robuste capable d'assurer la commutation à haute énergie requise dans les applications de protection de circuit.

Caractéristiques

  • Résistance de conduction à un chiffre [RDS(ON)]
  • Température de fonctionnement maximale : +175 °C
  • Capacité de courant pulsé élevée
  • Excellente robustesse du dispositif
  • Puce fixée par frittage d’argent pour une excellente résistance thermique
  • Sans plomb, sans halogène et conforme à la directive RoHS

Applications

  • Disjoncteurs à l'état solide/semiconducteur
  • Relais à semiconducteurs
  • Déconnexions de batterie
  • Protection contre les surtensions
  • Contrôle du courant d'appel
  • Chauffage par induction

Caractéristiques techniques

  • Tension drain-source de 1 200 V (VDS)
  • Courant de drain continu de 120 A (ID) à TC; +112 °C
  • Courant de drain pulsé de 550 A (IDM) à TC; +25 °C
  • Dissipation d'énergie (PTOT) de 789 W à TC; +25 °C
  • Charge de grille totale (QG) de 830 nC avec VDS = 800 V, ID = 100 A, VGS = -18 V à 0 V
  • Résistance drain-source [RDS(ON)]
    • 7,1 mΩ (std.) avec VGS = 2 V, ID = 100 A, TJ = +25 °C
    • 8,6 mΩ (std.) avec VGS = 0 V, ID = 100 A, TJ = +25 °C
    • 15,5 mΩ (std) avec VGS = 2 V, ID = 100 A, TJ = +175 °C
    • 17,8 mΩ (std) avec VGS = 0 V, ID = 100 A, TJ = +175 °C
  • Température de jonction maximale (TJ,max) : +175 °C

Schéma du circuit

Schéma - onsemi Transistor JFET canal N UF3N120007K4S 1 200 V

Schéma du boîtier

Graphique - onsemi Transistor JFET canal N UF3N120007K4S 1 200 V

Transistor JFET associé

onsemi JFET SiC normalement actif 1 700 V-400 mW UF3N170400B7S

Apporte des charges de grille et résistance à l'état passant ultra-faibles, ce qui permet une faible conduction et une faible perte de commutation. 

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Publié le: 2025-07-30 | Mis à jour le: 2025-08-05